貼片晶振也稱為SMD晶體，分為兩種類型：無源晶體和有源晶體。 無源晶體振蕩器和有源晶體振蕩器（諧振）的英文名稱不同。 無源晶體振蕩器是晶體，而有源晶體振蕩器稱為振蕩器。  

無源晶體需要時(shí)鐘電路來產(chǎn)生振蕩信號，并且自身不能振蕩，因此“無源晶體”一詞不準(zhǔn)確； 源晶體是一個(gè)完整的諧振振蕩器。 石英晶體振蕩器和石英晶體諧振器都是提供穩(wěn)定電路頻率的電子設(shè)備。 石英晶體振蕩器利用石英晶體的壓電效應(yīng)來振動，而石英晶體諧振器利用石英晶體和內(nèi)置的IC協(xié)同工作。 振蕩器直接應(yīng)用于電路。 通常，當(dāng)諧振器工作時(shí)，需要3.3V的電壓來維持諧振器。 振蕩器比諧振器還有一個(gè)更重要的技術(shù)參數(shù)：諧振電阻（RR）。 諧振器沒有電阻要求。  RR的大小直接影響電路的性能，因此這是企業(yè)之間競爭的重要參數(shù)。 芯片晶體振蕩器的主要參數(shù)

總頻率差：在指定的時(shí)間內(nèi)，晶體振蕩器的頻率和給定的標(biāo)稱值是由指定工作和非 工作參數(shù)頻率的最大偏差。 總頻率差包括由頻率溫度穩(wěn)定性引起的最大頻率差，由頻率老化率引起的偏差，頻率電壓特性和頻率負(fù)載特性。 通常，僅在考慮短期頻率穩(wěn)定性時(shí)才使用它，并且不嚴(yán)格要求其他頻率穩(wěn)定性指標(biāo)。

頻率穩(wěn)定性：對于任何晶體振蕩器，頻率不穩(wěn)定性都是絕對的，只是程度不同。 晶體的輸出頻率隨時(shí)間變化的曲線。 曲線顯示了頻率不穩(wěn)定性的三個(gè)因素：老化，漂移和短時(shí)穩(wěn)定性。  

開機(jī)特性（頻率穩(wěn)定的預(yù)熱時(shí)間）：是指從開機(jī)后的一段時(shí)間（例如5分鐘）到 開機(jī)后另一時(shí)間段（例如1小時(shí)）的頻率。 顯示晶體振蕩器穩(wěn)定的速度。 該指示器對于頻繁切換的儀器（例如頻率計(jì)）很有用。  [H] 

頻率老化率：在恒定環(huán)境條件下測量振蕩器頻率時(shí)，石英晶體振蕩器的頻率與時(shí)間之間的關(guān)系。 這種長期的頻率漂移是由晶體元件和振蕩器電路元件的緩慢變化引起的。 因此，其頻移率稱為老化率。 在指定的時(shí)間限制后的最大變化率（例如，±10ppb /天，72小時(shí)后打開電源），或最大的總頻率變化（例如：±1ppm /（第一年）和±5ppm /（十年）  ）在指定的時(shí)間范圍內(nèi)。  [H] 

晶體老化是由于晶體生產(chǎn)過程中的應(yīng)力，污染物，殘留氣體和結(jié)構(gòu)工藝缺陷等問題引起的。 經(jīng)過一段時(shí)間的變化后，應(yīng)力可以穩(wěn)定下來。 一種稱為“應(yīng)力補(bǔ)償”的晶體切割方法（SC切割方法）使晶體具有更好的特性。  [H] 

短期穩(wěn)定性：短期穩(wěn)定性。 觀察時(shí)間為1 ms，10 ms，100 ms，1秒，10秒。 晶體的輸出頻率受內(nèi)部電路的影響（晶體的Q值，組件的噪聲，電路的穩(wěn)定性，工作狀態(tài)等），并引起很大范圍的不穩(wěn)定。 在測量了一系列頻率值之后，將使用艾倫方程來計(jì)算它們。 相位噪聲也可以反映短時(shí)的穩(wěn)定性情況（由特殊儀器測量）。  

重現(xiàn)性：定義：晶體振蕩器經(jīng)過長時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行后將關(guān)閉，關(guān)閉一段時(shí)間t1（例如24小時(shí)），然后打開 時(shí)間段t2（例如4個(gè)小時(shí)）。  f1，在相同的時(shí)間段t1中再次停止，然后在相同的時(shí)間段t2中再次重新啟動，然后測量頻率f2。 重復(fù)性=（f2-f1）/ f2。  [H] 

頻率電壓控制范圍：將頻率控制電壓從參考電壓調(diào)整到指定的端電壓，并調(diào)整石英晶體振蕩器頻率的最小峰值變化。  

頻率電壓控制線性度：與理想（直線）函數(shù)相比的輸出頻率輸入控制電壓傳輸特性的度量，表示整個(gè)范圍內(nèi)的允許頻率偏差 非線性百分比。

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