標(biāo)稱頻率：

晶體技能條件中規(guī)定的頻率，一般標(biāo)識(shí)在產(chǎn)品外殼上。

作業(yè)頻率：

晶體與作業(yè)電路一同產(chǎn)生的頻率。

調(diào)整頻差：

在規(guī)定條件下，基準(zhǔn)溫度（25±2℃）時(shí)作業(yè)頻率相對(duì)于標(biāo)稱頻率所容許的差錯(cuò)。

溫度頻差：

在規(guī)定條件下，在作業(yè)溫度范圍內(nèi)相對(duì)于基準(zhǔn)溫度（25±2℃）時(shí)作業(yè)頻率的容許差錯(cuò)。

老化率：

在規(guī)定條件下，晶體作業(yè)頻率隨時(shí)刻而容許的相對(duì)變化。以年為時(shí)刻單位衡量時(shí)稱為年老化率。

靜電容：

等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容，也叫并電容，一般用C0標(biāo)明。

負(fù)載電容：

與晶體一同決議負(fù)載諧振頻率fL的有用外界電容，一般用CL標(biāo)明。

負(fù)載電容系列是：8PF、12PF、15PF、20PF、30PF、50PF、100PF。

只需或許就應(yīng)選推薦值：10PF、20PF、30PF、50PF、100PF。

負(fù)載諧振頻率：

在規(guī)矩條件下，晶體與一負(fù)載電容相串聯(lián)或相并聯(lián)，其組合阻抗出現(xiàn)為

電阻性時(shí)的兩個(gè)頻率中的一個(gè)頻率。在串聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，負(fù)載諧振頻率是兩個(gè)頻率中較低的一個(gè)，在并聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，則是兩個(gè)頻率中較高的一個(gè)。

動(dòng)態(tài)電阻：

串聯(lián)諧振頻率下的等效電阻。用R1標(biāo)明。

負(fù)載諧振電阻：

在負(fù)載諧振頻率時(shí)出現(xiàn)的等效電阻。用RL標(biāo)明。

RL=R1（1+C0/CL）2

煽動(dòng)電平：

晶體作業(yè)時(shí)所耗費(fèi)功率的表征值。

煽動(dòng)電平可選值有：2mW、1mW、0.5mW 、0.2mW、0.1mW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW等

基頻：

在振動(dòng)模式最低階次的振動(dòng)頻率。

泛音：

晶體振動(dòng)的機(jī)械諧波。泛音頻率與基頻頻率之比靠近整數(shù)倍但不是整數(shù)倍，這是它與電氣諧波的首要差異。泛音振動(dòng)有3次泛音，5次泛音，7次泛音，9次泛音等。